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磁阻效應實驗儀
型號:YQDH4510
貨號:ZH5419

本實驗裝置使用砷化鎵(GaAs)霍爾傳感器測量磁感應強度,研究銻化銦(InSb)磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。可觀測半導體的霍爾效應和磁阻效應兩種物理規律,及其作為磁測量不同應用,具有研究性和相關性的實驗特點,適合于基礎物理實驗和綜合性物理實驗。
主要,參數及性能:
1、IM:勵磁電流,直流0~900mA連續可調,3位半數顯;
2、Is:傳感器工作電流,直流0~1mA連續可調,3位半數顯;
3、數字式磁場強度和磁阻電壓測量:
   磁場強度0~999mT,準確率1%;
   磁阻電壓0~2000mV,準確率為0.5%。


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